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美格纳元素半导体公司提供第三代180微米BCD工艺本领,科锐Wolfspeed最新付加物组合为电视发表市镇提供拔尖方案

2020-03-16 20:21栏目:帮助中心
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[据electroiq网站2018年12月21日报道]威尼斯网上手机官网,美格纳半导体公司是一家模拟及混合信号半导体产品设计及制造企业。MagnaChip近日宣布向制造厂客户提供第三代180nm双极性-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺技术。BCD技术非常适用于集成电源管理电路(PMIC)、直流斩波器、电池充电器件、保护器件、电机驱动器件、LED驱动器件和音频放大器。第三代180nm BCD工艺改善了功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的导通电阻,最高运行电压可以达到40V。

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为了减少电源模块的元件数量,实现芯片多功能化,对高性能、高效性的BCD技术集成电路需求越来越大。在BCD技术中,功率LDMOS的Rsp特性是一个关键的性能参数,因为具有低Rsp LDMOS的BCD技术有助于减小功率集成电路芯片的尺寸和功耗。近十年来,MagnaChip一直致力于功率LDMOS的Rsp改进。现在,通过工艺和器件架构优化,MagnaChip的第三代180nm BCD工艺技术比上一代降低了大约30%的Rsp。

中照网讯 科锐(Nasdaq: CREE)旗下Wolfspeed于近日宣布推出新型横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)产品,帮助实现更小尺寸系统、更高可靠性与效率。Wolfspeed近期收购英飞凌射频(RF)功率业务,扩大了产品组合,加速了公司在通讯领域的创新开发进程。

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不同的应用和集成电路设计方案对BCD技术的要求也不同。为了满足各种需求,MagnaChip采用模块化工艺概念,可生成1.8V、5V、12~40V不同组合的晶体管。除了当前的器件组合,MagnaChip计划在2019年发布新器件,例如:针对特定的工作电压范围进行优化的定制LDMOS器件和功率集成电路中适用于电压控制、高频运行的低Vgs(栅源偏置电压)LDMOS器件。

ABI Research公司研究总监Lance Wilson表示:“收购英飞凌射频(RF)功率业务,促进了Wolfspeed射频(RF)功率半导体业务向新的层级发展。一直以来,Wolfspeed都是氮化镓(GaN)技术的主要玩家。随着英飞凌新型横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)产品组合的加入,将帮助Wolfspeed扩大在大功率射频(RF)高阶梯队的市占版图。”

LDMOS

第三代BCD工艺技术提供了多种可选的器件,增强了设计的集成度和灵活性。可选的器件包括双极晶体管、齐纳二极管、高阻多晶硅电阻器、氮化钽电阻器、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、金属-氧化物-金属电容器、熔断器、可编程存储器。

这一收购为Wolfspeed带来了横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术和专长,帮助公司提供最优射频(RF)功率解决方案,满足客户需求,而不必考虑之前采用何种技术。

第三代BCD工艺技术支持功率集成电路更严格的可靠性需求,如在汽车应用中,第三代BCD工艺技术得到了汽车级AEC-Q100一级温度鉴定规格的认证。

新扩展的产品组合包括了Wolfspeed新型28V 2620-2690 MHz非对称多合体晶体管(Asymmetric Doherty Transistor),这是采用了LD12技术的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)多合体晶体管(Doherty Transistor)。该器件和其它LD12器件,采用了塑料二次注塑封装(Plastic Overmold Package),能够提供与开放空腔式封装(Open Cavity Package)相同的性能,实现了更低成本条件下的显著效率提升。Wolfspeed在塑料封装中实现业界领先的性能,将为通讯应用带来显著成本节约。

MagnaChip的首席执行官YJ Kim评论说:“第三代180nm低导通电阻BCD工艺技术非常适用于许多功率集成电路,因为它有助于减小芯片尺寸和提高器件功率。MagnaChip将持续改进BCD工艺技术的性能,这将有助于帮助客户提升产品的竞争力。”

Wolfspeed副总裁兼射频(RF)总经理Gerhard Wolf表示:“Wolfspeed致力于支持横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)产品组合的开发,正如此次所发布的新型28V非对称多合体晶体管(Asymmetric Doherty Transistor)。我们在横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)产品组合的不断扩展,体现了我们在手机网络基站应用领域的持续创新,这将提升4G网络的性能和未来向5G网络的转变。”

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